Toshiba heeft een nieuwe doorbraak aangekondigd op het gebied van embedded hardware voor smartphones en de mobiele markt. Het bedrijf heeft de ontwikkeling aangekondigd van een nieuwe efficiënte low-power technologie voor het SRAM geheugen. Deze nieuwe technologie zal moeten resulteren in betere accuduur voor smartphones en andere apparaten zoals tablets.
Volgens Toshiba is de technologie in staat om de temperatuur te verlagen in de actieve en stand-by modus doormiddel van een zogeheten bit line power calculator en een digitaal controleerbaar retentie-circuit. De technologie is al getest door Toshiba in en resulteert in minder stroomverbruik in zowel de actieve als stand-by modus.
Bij een temperatuur van 25 graden is de technologie in staat om in een actieve staat het stroomverbruik met 27% terug te brengen, en in stand-by met maar liefst 85%. Het bedrijf heeft zijn nieuwe technologie tijdens de Solid-State Circuit conferentie in San Francisco voor het eerst gepresenteerd. Het bedrijf wijst erop dat om de accuduur te verbeteren het energieverbruik omlaag moet bij hoge prestaties maar ook bij lage prestaties modes.
Toshiba zegt dat applicaties die weinig kracht vereisen het eenvoudig afkunnen met slechts enkele tientallen megahertz en dat de temperatuur van het SRAM rond de kamertemperatuur zal moeten blijven in een actieve modus.
De nieuwe technologie gebruikt de bit line power calculator en het digitaal bestuurbare retentie-circuit om samen met de BLPC om het stroomverbruik te voorspellen van de bit lijnen. De DCRC vermindert het stroomverbruik in stand-by door periodiek de buffer grootte te updaten van het retentie-circuit.