iPhone 7 krijgt supersnel 3D NAND flashgeheugen?
Op papier is deze aankondiging voor veel iPhone gebruikers niet heel spannend, echter zijn Toshiba en SanDisk twee van de hoofdleveranciers van het flashgeheugen voor de iPhone 6, en vermoedelijk later dit jaar ook de nieuwe iPhone modellen. Beide bedrijven hebben een 32GB flashmodule ontwikkeld die sneller is dan alles wat tot op heden beschikbaar is, terwijl het ook nog eens minder stroom verbruikt. Deze nieuwe chips worden geproduceerd op een 15nm-procedé en bieden twee keer de capaciteit van het compactste geheugen dat momenteel beschikbaar is.
[sc:adsense-tekst ]Het nieuwe soort geheugen kan worden gebruikt voor smartphones, tablets, geheugenkaarten, SSD’s en andere apparaten. Het product van SanDisk en Toshiba is gebaseerd op de 3D BiCS NAND technologie, wat de schrijf/wis betrouwbaarheid moet verbeteren en de prestaties van het schrijven van data moet versnellen in vergelijking met 2D geheugen. Het flashgeheugen slaat drie bits aan data op per transistor. In het persbericht van Toshiba wordt er niet gesproken over potentiële klanten voor het nieuwe geheugen, maar als Apple volgend jaar vast blijft houden aan dezelfde leveranciers, dan kunnen we dit nieuwe type 3D NAND geheugen mogelijk later terugvinden in de iPhone 7 en iPhone 7 Plus.
Het is nog een beetje vroeg om te speculeren, maar gezien het feit dat Toshiba het 3D geheugen vanaf 32GB gaat leveren wekt de suggestie dat er volgend jaar geen iPhone 7 gaat komen met 16GB aan opslagruimte. De productie van het snellere geheugen gaat in ieder geval niet op tijd van start voor de iPhone 6S lancering, want volgens het bedrijf zijn de samples pas vanaf september beschikbaar. Momenteel wordt de Fab2 fabriek voorbereid op de massaproductie van BiCS Flash, een project dat volgend jaar moet zijn afgerond.
[sc:adsense-tekst ]